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CDS2C15GTA 发布时间 时间:2025/6/17 8:01:05 查看 阅读:3

CDS2C15GTA是一款高性能的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)器件,主要应用于开关电源、电机驱动以及各种功率转换电路中。该元器件具有低导通电阻、快速开关特性和高耐压的特点,能够显著提升系统效率并减少热量损耗。
  该型号属于N沟道增强型MOSFET系列,其封装形式为TO-220,适合于需要高电流承载能力的应用场合。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:30A
  导通电阻:4.5mΩ
  栅极电荷:75nC
  总功耗:180W
  工作结温范围:-55℃ to +175℃

特性

CDS2C15GTA采用先进的硅工艺制造,具备以下关键特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可有效降低传导损耗。
  2. 高速开关性能,适合高频应用环境。
  3. 优异的热稳定性,能够在高温条件下长时间运行。
  4. 内置反向二极管,支持续流保护功能。
  5. 抗雪崩能力较强,提高系统的可靠性。

应用

该芯片广泛应用于多个领域,包括但不限于以下场景:
  1. 开关电源中的主开关管。
  2. 各类DC-DC转换器的核心功率元件。
  3. 电动工具和家用电器的电机控制。
  4. 工业自动化设备中的功率调节。
  5. 光伏逆变器以及其他新能源相关产品。

替代型号

CSD19502Q5B, IRFZ44N, FDP15N6S

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