CDS2C15GTA是一款高性能的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)器件,主要应用于开关电源、电机驱动以及各种功率转换电路中。该元器件具有低导通电阻、快速开关特性和高耐压的特点,能够显著提升系统效率并减少热量损耗。
该型号属于N沟道增强型MOSFET系列,其封装形式为TO-220,适合于需要高电流承载能力的应用场合。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:30A
导通电阻:4.5mΩ
栅极电荷:75nC
总功耗:180W
工作结温范围:-55℃ to +175℃
CDS2C15GTA采用先进的硅工艺制造,具备以下关键特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可有效降低传导损耗。
2. 高速开关性能,适合高频应用环境。
3. 优异的热稳定性,能够在高温条件下长时间运行。
4. 内置反向二极管,支持续流保护功能。
5. 抗雪崩能力较强,提高系统的可靠性。
该芯片广泛应用于多个领域,包括但不限于以下场景:
1. 开关电源中的主开关管。
2. 各类DC-DC转换器的核心功率元件。
3. 电动工具和家用电器的电机控制。
4. 工业自动化设备中的功率调节。
5. 光伏逆变器以及其他新能源相关产品。
CSD19502Q5B, IRFZ44N, FDP15N6S