电容：82 pF
　　容差：±20%
　　介质材料：NP0（C0G）
　　额定电压：未指定（典型为50V或100V）
　　温度系数：0 ppm/°C
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装类型：SMD
　　尺寸：1206（3.2 mm x 1.6 mm）
　　电介质稳定性：Class 1
　　损耗角正切（tanδ）：低
　　绝缘电阻：高
　　自谐振频率（SRF）：高

CDRR128NP-820MC 采用NP0介质材料，具有极低的温度系数和优异的频率稳定性，使其在宽温度范围内保持电容值不变。该电容器的损耗极低，适用于高频电路中的高Q值滤波器和振荡器设计。此外，NP0介质材料的非线性特性极小，减少了在高信号强度下的失真。CDRR128NP-820MC的SMD封装形式不仅节省空间，还提高了电路板的组装效率和可靠性。由于其高稳定性和低损耗特性，这款电容器广泛应用于射频（RF）和微波电路、精密模拟电路以及高可靠性工业和汽车电子系统。
　　该电容器的额定电压通常为50V或100V，能够承受较高的工作电压而不影响其电气性能。其高绝缘电阻和低漏电流特性确保在长时间使用中保持稳定的电性能。此外，CDRR128NP-820MC的结构设计使其具有良好的机械强度和耐热性，能够在恶劣的环境条件下正常工作。该电容器符合RoHS标准，适用于无铅焊接工艺，符合现代电子制造的环保要求。

CDRR128NP-820MC 主要用于对频率稳定性要求极高的射频（RF）和微波电路中，例如无线通信设备中的滤波器、振荡器和匹配网络。在精密模拟电路中，该电容器用于耦合、旁路和去耦应用，确保信号的高保真传输。此外，CDRR128NP-820MC 还适用于高可靠性工业控制系统、测试和测量设备、汽车电子系统（如发动机控制单元和车载通信模块）以及航空航天电子设备。由于其优良的电气性能和高稳定性，该电容器常用于需要长期稳定运行的高精度计时和信号处理电路。

GRM188R71H103KA01D
　　X7R电容器：TDK C3216X7R1H103K160AC
　　C0G/NP0电容器：Murata GRM188C0G1H103J
　　替代型号需根据具体电路要求选择，确保容差、额定电压和温度系数匹配