标称电容量：1000pF
　　容量容差：±20%
　　温度系数：NP0（C0G）
　　额定电压：50V
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　绝缘电阻：10,000MΩ min
　　介质材料：陶瓷（NP0/C0G）
　　封装类型：径向引线
　　尺寸代码：73（约7.3mm x 3.2mm）

CDRH73NP-102MC具有优异的温度稳定性，其容量随温度变化极小，适用于要求高精度的高频电路和振荡器。该电容器采用NP0（C0G）介质材料，具有极低的介质吸收和高Q值，适合用于射频（RF）和模拟电路中的滤波和调谐应用。
　　此外，其额定电压为50V，可在中高压环境下稳定运行，适用于电源电路中的去耦和旁路功能。该系列电容器通过了AEC-Q200认证，适用于汽车电子等高可靠性要求的应用场景。
　　CDRH73NP-102MC还具有优异的长期稳定性，容量不会随时间明显漂移，且在高湿、高温环境下依然保持良好的性能。其结构坚固，引线材料为铜（Cu）或银（Ag），增强了焊接可靠性和导电性能。
　　在实际应用中，CDRH73NP-102MC的低ESR（等效串联电阻）和低ESL（等效串联电感）使其在高频下表现优异，能够有效减少信号损耗和噪声干扰。

CDRH73NP-102MC主要用于对电容量稳定性要求极高的电路设计中，如无线通信设备中的RF滤波器和振荡器、精密放大器的耦合与旁路、医疗设备的信号处理模块、工业控制系统的精密测量电路等。
　　此外，该电容器也广泛应用于汽车电子系统，如发动机控制单元（ECU）、车载娱乐系统、雷达传感器模块等，满足AEC-Q200标准对汽车元件的高可靠性要求。
　　在消费类电子产品中，CDRH73NP-102MC可用于音频放大器的耦合电容、电源管理电路的去耦电容，以及各种便携设备中的高频信号处理电路。
　　由于其优异的温度稳定性和耐久性，该型号还适用于航空航天、军事通信等极端环境下的高可靠性电子系统。

CDRH73U5R1H102M, CDRH73X5R1A102M, CDRH73FNP0102M