时间：2025/9/9 17:04:35
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CDRH2D18/LDNP-150NC 是一款由 CEL（California Eastern Laboratories）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于需要高效率和高功率密度的电子设备中。该器件采用先进的沟槽技术，提供了低导通电阻（Rds(on)），有助于降低导通损耗，提高整体系统效率。该MOSFET具有良好的热稳定性和耐用性，适合在高温环境下运行。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压（Vds）：150V
栅源电压（Vgs）：20V
漏极电流（Id）：连续 25A
导通电阻（Rds(on)）：50mΩ（最大值）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-220
功率耗散（Pd）：125W
漏源击穿电压（BVDSS）：150V
CDRH2D18/LDNP-150NC 具备多项卓越的电气和物理特性，使其在功率电子领域中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通状态下的功率损耗，从而提高了系统的能效。此外，该器件采用了先进的沟槽技术，使得在相同的封装尺寸下，导通电阻更低，电流承载能力更强。
其次，该MOSFET具有出色的热性能，能够在高达175°C的温度下正常工作，确保在高温环境下的稳定性和可靠性。这种高耐温特性使得它非常适合用于高功率密度的设计，例如电源供应器、电机控制和电池管理系统等。
再者，CDRH2D18/LDNP-150NC 的封装形式为 TO-220，具备良好的散热能力，有助于快速将热量传导到外部散热器或 PCB 板上，进一步提高器件的热稳定性。TO-220 封装也便于安装和使用，适合各种工业应用。
最后，该器件具有良好的抗过载能力，能够在短时间内承受超过额定电流的负载，适用于需要瞬时高电流的应用场景。
CDRH2D18/LDNP-150NC 广泛应用于多种功率电子设备中，包括但不限于电源供应器、直流-直流转换器、电机控制器、电池管理系统（BMS）、工业自动化设备以及电动车充电系统等。由于其低导通电阻和高电流承载能力，这款MOSFET非常适合用于高效率的开关电源设计，尤其是在需要频繁开关操作的应用中表现尤为出色。
在电源供应器中，该器件可用于主开关或同步整流器，以提高转换效率并减少发热。在电机控制应用中，CDRH2D18/LDNP-150NC 可以作为 H 桥电路中的开关元件，实现对电机速度和方向的精确控制。此外，它还可以用于电池管理系统中的充放电控制电路，确保电池组的安全和高效运行。
由于其高耐温能力和良好的热管理特性，这款MOSFET也常用于电动车和储能系统的功率转换模块中，确保在高负载条件下的稳定工作。
SiHF15N150E, FQA25N150, IXFH25N150
