时间：2025/9/9 18:46:16
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CDRH103RNP-100NC-B 是一款由 CEL（California Eastern Laboratories）生产的射频功率晶体管，采用 GaN（氮化镓）技术制造。该器件专为高功率射频应用设计，例如无线基站、雷达系统和测试设备。该晶体管在高频段（如L波段或更高）中提供高功率增益和优异的效率，适合需要高输出功率和可靠性的应用场景。
工作频率：1.8 GHz - 2.2 GHz
输出功率：100 W
增益：15 dB（典型值）
漏极效率：50% 以上
工作电压：28 V
封装类型：HMTF（高功率表面贴装封装）
输入和输出阻抗：50Ω
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
CDRH103RNP-100NC-B 采用 GaN 技术，具备优异的功率密度和热性能，使其在高功率条件下依然保持稳定。该器件在 L 波段（1.8GHz 至 2.2GHz）范围内提供高达 100W 的输出功率，适用于需要高功率的射频放大应用。
其典型增益为 15dB，漏极效率超过 50%，这不仅提高了能源利用率，还减少了散热需求，降低了系统设计的复杂性。此外，该晶体管具有高线性度，有助于减少信号失真，提高通信系统的信号质量。
CDRH103RNP-100NC-B 采用 HMTF 封装，具备良好的热管理和高频性能，便于表面贴装，适合现代射频设备的小型化和高集成度需求。其工作温度范围宽（-40°C 至 +85°C），适用于各种严苛环境条件下的应用。
CDRH103RNP-100NC-B 广泛应用于需要高功率和高效率的射频系统中，如蜂窝基站、雷达系统、电子战设备、测试测量仪器以及无线基础设施设备。该晶体管特别适用于需要在 L 波段或更高频段下提供高功率输出的通信和军事应用。
由于其高增益和高线性度特性，CDRH103RNP-100NC-B 非常适合用作基站放大器、发射机功率放大器以及高功率无线测试设备中的关键组件。此外，该器件的高可靠性使其成为工业和军事应用中的理想选择，例如在远程雷达系统或高功率无线通信设备中使用。
在设计上，该晶体管可以与现有的 GaN 或 LDMOS 放大器架构兼容，便于工程师进行系统升级和优化。其表面贴装封装也简化了 PCB 布局和装配流程，提高了生产效率。
CDRH103RNP-100NC, CDRH103RNP-100NA, CDRH103RNP-100NB
