时间：2025/5/21 8:46:51
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CDR34BX473BKUS7185 是一款高性能的功率MOSFET芯片，广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电路等领域。该芯片采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、高耐压特性和快速开关速度等特点，能够有效提升系统的效率与稳定性。
其封装形式紧凑，适合在空间受限的应用场景中使用，同时具备良好的散热性能，可确保长时间稳定运行。
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：30A
导通电阻：4.5mΩ
栅极电荷：35nC
开关速度：超快
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-263
CDR34BX473BKUS7185 的主要特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻（4.5mΩ），显著降低功率损耗。
2. 高额定电流能力（30A），适用于大功率应用环境。
3. 快速开关性能，减少开关损耗并提高系统效率。
4. 良好的热稳定性和可靠性，适应极端温度条件。
5. 紧凑型封装设计，节省PCB布局空间。
6. 内置保护机制，如过流保护和短路保护，增强器件的安全性。
7. 符合RoHS标准，环保无铅材料，满足国际法规要求。
CDR34BX473BKUS7185 可应用于多种领域，包括但不限于以下方面：
1. 开关电源（SMPS）设计中的主开关元件。
2. 电机驱动电路，用于控制直流无刷电机或步进电机。
3. 汽车电子系统中的负载切换与保护。
4. 工业自动化设备中的功率转换模块。
5. 充电器和适配器中的高效功率管理。
6. LED驱动电路以实现精确电流控制。
7. 各类需要高效开关和低功耗的场合。
CDR34BX473BKUS7175, IRFZ44N, FDP5500
