时间：2025/6/11 13:29:06
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CDR34BX393BKZRAT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，专为需要高效率和低功耗的应用场景设计。该器件采用先进的制造工艺，具有极低的导通电阻和快速开关特性，非常适合用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等电力电子应用中。
该芯片的主要特点是其优化的动态性能和静态性能，能够有效降低系统功耗并提升整体效率。此外，CDR34BX393BKZRAT 还具备出色的热特性和坚固的封装设计，使其能够在恶劣的工作环境下稳定运行。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：35A
导通电阻（典型值）：3.5mΩ
栅极电荷（典型值）：80nC
反向恢复时间：25ns
工作结温范围：-55℃至175℃
封装形式：TO-247
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于减少传导损耗，提高系统效率。
2. 快速开关特性，适合高频应用场合。
3. 高雪崩能量能力，增强器件的鲁棒性。
4. 采用 TO-247 封装，具备良好的散热性能。
5. 支持宽泛的工作温度范围，适用于工业级和汽车级应用。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
7. 具备较低的栅极电荷和输出电容，从而优化了开关速度与效率之间的平衡。
1. 开关模式电源 (SMPS) 的主开关或同步整流器。
2. 电动车辆中的电机控制器。
3. 工业自动化设备中的负载切换。
4. DC-DC 转换器中的功率级元件。
5. 太阳能逆变器中的功率转换模块。
6. LED 照明驱动电路。
7. 各类高效能功率管理方案中的关键组件。
IRF3710, FDP5500, STP36NF06L
