CDR34BX393BKZMAT 是一款高性能的射频功率晶体管,主要用于无线通信系统中的功率放大器模块。该器件采用先进的 LDMOS(横向双扩散金属氧化物半导体)技术制造,能够提供高效率和高线性度的性能表现,广泛应用于基站、中继器和其他射频功率应用领域。
这款晶体管具有出色的增益特性和稳定性,能够在高频段下保持较高的输出功率和较低的失真率,同时支持宽范围的工作电压,确保其在各种复杂环境下的可靠运行。
型号:CDR34BX393BKZMAT
类型:射频功率晶体管
工艺技术:LDMOS
工作频率范围:2.1 GHz 至 2.7 GHz
输出功率:50 W(典型值)
增益:15 dB(典型值)
电源电压:28 V
封装形式:陶瓷气密封装
结温范围:-55°C 至 +150°C
封装尺寸:39.3 mm x 19.0 mm
CDR34BX393BKZMAT 提供卓越的射频性能,包括高输出功率和高增益。其采用的 LDMOS 技术使得器件能够在高频条件下实现低热阻和高可靠性。
此外,该晶体管还具备以下特点:
- 高效率设计,减少功耗和散热需求
- 出色的线性度表现,适用于复杂的调制信号
- 内置静电防护电路,提高抗干扰能力
- 宽带匹配网络简化外部电路设计
- 符合 RoHS 标准,环保无铅材料
由于其优异的电气性能和机械稳定性,CDR34BX393BKZMAT 成为现代无线通信基础设施的理想选择。
CDR34BX393BKZMAT 主要应用于以下领域:
- 无线通信基站功率放大器
- 射频中继设备
- 微波链路系统
- 测试与测量仪器
- 工业、科学和医疗 (ISM) 射频设备
其高频性能和大功率输出能力使其成为需要高效能射频放大的关键组件。
CDR34BX392BKZMAT
CDR34BX394BKZMAT