时间：2025/6/19 1:01:44
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CDR34BX333BKZRAT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电路中。该器件采用先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够显著提升系统的效率和可靠性。
该芯片的主要特点包括优化的栅极驱动设计、出色的热性能以及增强的静电防护能力，适用于各种工业和消费类电子设备。
类型：MOSFET
封装：TO-263
VDS（漏源电压）：60V
RDS(on)（导通电阻）：3.5mΩ
ID（持续漏极电流）：80A
Qg（总栅极电荷）：65nC
fT（转换频率）：1.7MHz
VGS(th)（栅极阈值电压）：4V
Tj（工作结温范围）：-55℃ to 175℃
CDR34BX333BKZRAT 提供了卓越的电气性能和耐用性。其主要特性如下：
1. 极低的导通电阻 (3.5mΩ)，有助于降低传导损耗并提高效率。
2. 高持续漏极电流 (80A)，支持大功率应用。
3. 快速开关性能 (fT=1.7MHz)，适合高频开关电源和逆变器。
4. 采用 TO-263 封装形式，具备优秀的散热性能。
5. 工作结温范围广 (-55℃ to 175℃)，适应恶劣的工作环境。
6. 内置保护机制以防止过压、过流及短路问题。
CDR34BX333BKZRAT 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动控制，如无刷直流电机 (BLDC) 控制器。
3. 工业自动化设备中的功率调节模块。
4. 太阳能逆变器和储能系统。
5. 汽车电子系统中的负载切换和电源管理。
6. 各种消费类电子产品中的高效电源解决方案。
CDR34BX333BQZRA, CDR34BX333BKZRA
