时间：2025/5/21 8:45:52
阅读：2
CDR34BX273BMZRAT 是一款高性能的碳化硅 (SiC) MOSFET，设计用于高功率密度和高效能的应用场景。该器件采用先进的 SiC 技术制造，具有低导通电阻、快速开关速度以及出色的热性能。
其封装形式为 TO-247-4L，能够支持大电流并提供卓越的电气特性，广泛应用于工业电源、太阳能逆变器、电动汽车充电系统等领域。
型号：CDR34BX273BMZRAT
类型：SiC MOSFET
漏源极击穿电压：1200V
最大连续漏极电流：36A
导通电阻：27mΩ
栅极电荷：150nC
总开关能量：85μJ
工作结温范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-247-4L
CDR34BX273BMZRAT 具备以下关键特性：
1. 高效率：得益于低导通电阻和低开关损耗的设计，使其非常适合高效率应用。
2. 快速开关能力：具备快速的开关速度，可显著减少开关损耗。
3. 耐高温：能够在高达 175°C 的结温下稳定运行，适应严苛的工作环境。
4. 高可靠性：通过严格的测试和验证流程，确保长期使用的可靠性。
5. 强大的抗浪涌能力：适用于需要承受瞬态电流冲击的场景。
这些特性使得 CDR34BX273BMZRAT 成为许多高功率转换应用的理想选择。
CDR34BX273BMZRAT 广泛应用于以下领域：
1. 工业电源：包括不间断电源 (UPS) 和直流电源供应。
2. 太阳能逆变器：提升光伏系统的效率和稳定性。
3. 电动汽车充电设备：支持快速充电站和车载充电器。
4. 电机驱动：用于高效率电机控制和变频驱动。
5. 高频 DC-DC 转换器：优化电力电子系统中的能量转换过程。
这款器件的高效性和耐用性使其成为上述领域的优选解决方案。
CDR34BX273BMZRAH, C2M0160120D, SCT30N120KM4
