时间：2025/5/26 14:40:20
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CDR34BP822AKZRAT是一款高性能的功率MOSFET芯片，采用先进的制造工艺设计，具有低导通电阻和高开关速度的特点。该芯片适用于需要高效能功率转换的应用场景，例如电源适配器、笔记本电脑电源、电动工具等设备中。其封装形式为行业标准的表面贴装类型，便于自动化生产装配。
这款MOSFET属于N沟道增强型器件，主要通过栅极电压控制漏极与源极之间的电流流动。它具备出色的热性能和电气性能，在高负载条件下仍能保持较低的功耗，非常适合对效率和散热要求较高的应用环境。
型号：CDR34BP822AKZRAT
封装：PQFN8x8-22
最大漏源电压(V_DS)：60V
最大栅源电压(V_GS)：±20V
最大连续漏极电流(I_D)：160A
最大脉冲漏极电流(I_PULSE)：320A
导通电阻(R_DS(on))：1.5mΩ（典型值，V_GS=10V）
栅极电荷(Q_G)：97nC（典型值）
反向恢复时间(t_rr)：25ns（最大值）
工作温度范围(T_A)：-55℃至175℃
1. 极低的导通电阻确保了高效的功率转换和较低的发热水平。
2. 高额定电流能力使其能够胜任大功率应用的需求。
3. 快速开关速度减少了开关损耗，提高了系统效率。
4. 良好的热稳定性和可靠性，适合在极端温度环境下运行。
5. 小型化的封装节省了PCB空间，有助于实现紧凑型设计。
6. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。
1. 开关电源(SMPS)中的功率转换级。
2. 电动工具的驱动电路。
3. 电池充电器中的同步整流。
4. 工业电机控制及驱动。
5. 汽车电子系统的功率管理模块。
6. 笔记本电脑和其他消费类电子产品的电源解决方案。
CDR34BP822AKZRA, CDR34BP822AKZRAH, IRF3710
