CDR34BP822AFZMAT 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率晶体管,专为高频开关应用而设计。该器件具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,适用于电源管理、DC-DC转换器和无线充电等场景。其封装形式支持高效的散热管理,并具备强大的抗电磁干扰能力。
由于采用了先进的制程工艺,CDR34BP822AFZMAT 能够在高频工作条件下提供卓越的效率表现,同时显著降低能量损耗。此外,它还内置了多重保护机制,包括过流保护、过温保护以及短路保护,从而提高了系统的可靠性和安全性。
型号:CDR34BP822AFZMAT
类型:增强型氮化镓功率晶体管
导通电阻(Rds(on)):15 mΩ @ Vgs = 6V
击穿电压(BVDSS):650 V
栅极电荷(Qg):50 nC
最大漏极电流(Id):22 A
开关频率范围:最高可达 5 MHz
封装形式:TO-263-7L
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
1. 高效性能:得益于氮化镓材料的独特优势,该器件拥有较低的导通电阻和开关损耗,能够显著提升整体效率。
2. 快速开关能力:其开关频率可高达 5 MHz,非常适合高频应用场景,例如谐振转换器或 LLC 拓扑。
3. 热稳定性强:通过优化的封装设计,器件能够快速将热量散发到外界环境,保证长时间稳定运行。
4. 内置多重保护功能:包括过流保护(OCP)、过温保护(OTP)和短路保护(SCP),极大增强了系统可靠性。
5. 易于驱动:低栅极电荷特性使其与主流驱动芯片兼容性良好,简化了电路设计流程。
CDR34BP822AFZMAT 广泛应用于以下领域:
1. 高效 DC-DC 转换器
2. 开关模式电源(SMPS)
3. 工业用逆变器
4. 电动汽车充电桩
5. 无线充电设备
6. LED 驱动器
7. 可再生能源系统中的功率调节模块
CDR34BP822AFZMA, CDR34BP822AFZMB, CDR34BP822AFZMC