时间：2025/6/12 6:39:37
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CDR34BP752AKZPAT是一款基于碳化硅（SiC）技术的MOSFET功率器件，广泛应用于高频开关电源、电机驱动器、太阳能逆变器和电动车充电系统等领域。该器件采用先进的封装工艺，具有高效率、低损耗和出色的散热性能。由于其卓越的电气特性和可靠性，CDR34BP752AKZPAT成为现代电力电子设计中高性能应用的理想选择。
该器件内部采用了增强型SiC MOSFET结构，能够支持高电压操作，同时具备快速开关速度和低导通电阻，从而显著提高了系统能效。此外，它还集成了多种保护功能以确保在复杂工况下的稳定运行。
型号：CDR34BP752AKZPAT
类型：SiC MOSFET
VDS（漏源击穿电压）：1200V
RDS(on)（导通电阻，典型值）：75mΩ
Qg（总栅极电荷）：80nC
ID（连续漏极电流）：40A
VGS(th)（栅极阈值电压）：3.5V
fsw（最大开关频率）：1MHz
封装形式：TO-247-4L
1. 基于碳化硅（SiC）材料制造，提供更高的工作温度范围和更强的耐压能力。
2. 具备超低的导通电阻（RDS(on)），可有效降低传导损耗，提升系统效率。
3. 快速开关性能，适合高频应用场景，减少磁性元件体积和成本。
4. 内置ESD保护功能，增强了芯片在恶劣环境中的鲁棒性。
5. TO-247-4L封装提供良好的散热性能和易于布局的设计灵活性。
6. 支持宽禁带半导体技术，实现更小尺寸和更高功率密度的解决方案。
7. 可靠性经过验证，满足汽车级及工业级应用需求。
1. 高频DC-DC转换器
2. 电动汽车车载充电器（OBC）
3. 太阳能光伏逆变器
4. 服务器和通信设备电源
5. 工业电机驱动与控制
6. 不间断电源（UPS）系统
7. 能量存储系统（ESS）中的功率转换模块
CDR34BP752AKZPAC, CDR34BP752AKZPAD
