时间：2025/6/11 13:27:31
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CDR34BP752AFZRAT是一款高性能的功率MOSFET芯片，采用先进的半导体制造工艺。该器件主要应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等场景，具备低导通电阻和高开关速度的特点，能够有效提升系统效率并降低能耗。
这款芯片属于N沟道增强型MOSFET，通过优化设计实现了较低的导通损耗和开关损耗，非常适合要求高效能和高可靠性的应用场合。
型号：CDR34BP752AFZRAT
类型：N沟道增强型MOSFET
封装形式：TO-263-3
最大漏源电压Vds：75V
最大栅源电压Vgs：±20V
持续漏极电流Id：48A（@Tc=25°C）
导通电阻Rds(on)：1.8mΩ（@Vgs=10V）
栅极电荷Qg：90nC
总功耗Ptot：165W
工作温度范围：-55°C至+175°C
CDR34BP752AFZRAT具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻Rds(on)，有助于减少传导损耗，提高整体效率。
2. 快速开关性能，能够适应高频工作环境，满足现代电子设备对高速开关的需求。
3. 高电流承载能力，支持大功率应用，适用于工业级负载。
4. 热稳定性强，能够在宽温范围内可靠运行。
5. 内置ESD保护机制，增强了器件在实际应用中的抗静电能力。
6. 符合RoHS标准，环保且适合多种国际市场的准入要求。
这些特点使CDR34BP752AFZRAT成为各类功率转换和控制电路的理想选择。
CDR34BP752AFZRAT广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）设计，用于提高效率和减小体积。
2. 电机驱动电路，特别是需要高功率输出的应用。
3. DC-DC转换器中作为主开关或同步整流元件。
4. 工业自动化设备中的功率管理模块。
5. 电动汽车及混合动力汽车中的电池管理系统。
6. LED照明驱动电路，提供高效的功率调节功能。
其强大的性能和可靠性使其在众多行业中都占据重要地位。
CDR34BP752AFZRA1T, IRF740, FDP5500
