CDR34BP752AFZMAT是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等领域。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度以及出色的热性能。
其设计目的是在高频开关应用中提供高效的电力传输,并能够承受较大的电流负载。此外,它还具备良好的抗静电能力(ESD保护),从而提高了系统的稳定性和可靠性。
类型:N沟道 MOSFET
最大漏源电压(Vds):75V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):50A
导通电阻(Rds(on)):1.8mΩ
总功耗(Ptot):210W
结温范围(Tj):-55℃ 至 +175℃
封装形式:TO-247
CDR34BP752AFZMAT的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗,提高效率。
2. 高电流承载能力,适用于大功率应用场景。
3. 快速开关性能,适合高频操作环境。
4. 具备较强的热稳定性,在高温条件下依然能保持良好的性能。
5. 内置ESD保护机制,增强器件的鲁棒性。
6. 符合RoHS标准,绿色环保,无有害物质。
该芯片主要应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. 电机控制和驱动电路中的功率级元件。
3. 工业自动化设备中的负载切换和保护。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统中的功率转换模块。
5. 电动车及混合动力汽车中的电池管理系统(BMS)。
6. 各种需要高效功率管理的消费类电子产品。
由于其优异的电气特性和可靠性,CDR34BP752AFZMAT成为许多高要求应用的理想选择。
CDR34BP752AFZMA, IRF740, STP75NF06L