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CDR34BP752AFZMAT 发布时间 时间:2025/7/4 19:06:15 查看 阅读:10

CDR34BP752AFZMAT是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等领域。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度以及出色的热性能。
  其设计目的是在高频开关应用中提供高效的电力传输,并能够承受较大的电流负载。此外,它还具备良好的抗静电能力(ESD保护),从而提高了系统的稳定性和可靠性。

参数

类型:N沟道 MOSFET
  最大漏源电压(Vds):75V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):50A
  导通电阻(Rds(on)):1.8mΩ
  总功耗(Ptot):210W
  结温范围(Tj):-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-247

特性

CDR34BP752AFZMAT的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗,提高效率。
  2. 高电流承载能力,适用于大功率应用场景。
  3. 快速开关性能,适合高频操作环境。
  4. 具备较强的热稳定性,在高温条件下依然能保持良好的性能。
  5. 内置ESD保护机制,增强器件的鲁棒性。
  6. 符合RoHS标准,绿色环保,无有害物质。

应用

该芯片主要应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
  2. 电机控制和驱动电路中的功率级元件。
  3. 工业自动化设备中的负载切换和保护。
  4. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统中的功率转换模块。
  5. 电动车及混合动力汽车中的电池管理系统(BMS)。
  6. 各种需要高效功率管理的消费类电子产品。
  由于其优异的电气特性和可靠性,CDR34BP752AFZMAT成为许多高要求应用的理想选择。

替代型号

CDR34BP752AFZMA, IRF740, STP75NF06L

CDR34BP752AFZMAT参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列Military, MIL-PRF-55681, CDR34
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容7500 pF
  • 容差±1%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数BP
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级-
  • 应用高可靠性
  • 故障率M(1%)
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1812(4532 公制)
  • 大小 / 尺寸0.177" 长 x 0.126" 宽(4.50mm x 3.20mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.059"(1.50mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-