时间：2025/7/4 19:06:15
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CDR34BP752AFZMAT是一款高性能的功率MOSFET芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等领域。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度以及出色的热性能。
其设计目的是在高频开关应用中提供高效的电力传输，并能够承受较大的电流负载。此外，它还具备良好的抗静电能力（ESD保护），从而提高了系统的稳定性和可靠性。
类型：N沟道 MOSFET
最大漏源电压（Vds）：75V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：50A
导通电阻（Rds(on)）：1.8mΩ
总功耗（Ptot）：210W
结温范围（Tj）：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247
CDR34BP752AFZMAT的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗，提高效率。
2. 高电流承载能力，适用于大功率应用场景。
3. 快速开关性能，适合高频操作环境。
4. 具备较强的热稳定性，在高温条件下依然能保持良好的性能。
5. 内置ESD保护机制，增强器件的鲁棒性。
6. 符合RoHS标准，绿色环保，无有害物质。
该芯片主要应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. 电机控制和驱动电路中的功率级元件。
3. 工业自动化设备中的负载切换和保护。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统中的功率转换模块。
5. 电动车及混合动力汽车中的电池管理系统（BMS）。
6. 各种需要高效功率管理的消费类电子产品。
由于其优异的电气特性和可靠性，CDR34BP752AFZMAT成为许多高要求应用的理想选择。
CDR34BP752AFZMA, IRF740, STP75NF06L
