时间：2025/7/10 6:32:53
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CDR34BP432BKZPAT是一款高性能的功率MOSFET芯片，广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电源等领域。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，能够显著提升系统的效率和可靠性。
这款功率MOSFET适用于高电流和高频应用场合，其封装设计优化了散热性能，确保在恶劣环境下的稳定运行。
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vdss)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大漏极电流(Id)：43A
导通电阻(Rds(on))：4.3mΩ
栅极电荷(Qg)：75nC
开关时间：ton=13ns, toff=28ns
工作温度范围：-55°C至+175°C
CDR34BP432BKZPAT具备以下主要特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有效减少传导损耗，提高系统效率。
2. 高速开关能力，适合高频应用，降低开关损耗。
3. 优异的热稳定性，可承受高温工作环境。
4. 强大的雪崩能量吸收能力，增强了器件的鲁棒性。
5. 符合RoHS标准，环保且可靠。
6. 优化的封装设计，提供更好的散热性能和电气连接。
该芯片适用于多种应用场景，包括但不限于：
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管。
2. 直流-直流转换器(DC-DC Converter)中的同步整流管。
3. 电机驱动电路中的功率开关。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 汽车电子系统中的电源管理模块。
6. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统中的功率调节组件。
CDR34BP432BKZPAN, CDR34BP432BKZPATL
