时间：2025/6/28 12:33:24
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CDR34BP362BFZPAT是一款高性能的功率MOSFET芯片，采用TO-263封装形式。该器件主要应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他需要高效功率转换的场景。其高耐压和低导通电阻的特点使其在功率电子领域具备广泛的应用前景。
该芯片属于N沟道增强型场效应晶体管，能够实现高效的电流切换与控制功能，同时提供良好的热性能表现。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：10A
导通电阻：0.3Ω
栅极阈值电压：4V
功耗：17W
工作温度范围：-55℃至+150℃
CDR34BP362BFZPAT具有出色的电气性能和可靠性，以下为其主要特点：
1. 高击穿电压：可承受高达650V的工作电压，适用于高压应用场景。
2. 低导通电阻：仅为0.3Ω，有助于降低功率损耗。
3. 快速开关速度：能够实现高效的开关操作，减少能量损失。
4. 强大的散热能力：采用TO-263封装，确保良好的热传导性能。
5. 高可靠性：经过严格的质量测试，适合长期稳定运行。
6. 环保设计：符合RoHS标准，对环境友好。
这款芯片适用于各种工业和消费类电子设备中，具体应用包括但不限于：
1. 开关电源(SMPS)：
- PC电源
- 适配器和充电器
2. 电机驱动：
- 家电中的电机控制
- 工业自动化中的伺服系统
3. 逆变器：
- 太阳能逆变器
- 不间断电源(UPS)
4. LED照明驱动电路：
- 高亮度LED灯具的恒流驱动
此外，它还可用于其他需要高效功率管理的场合，例如电动工具、电动车控制器等。
IRF840
STP10NK60Z
FQP18N60C
