时间：2025/6/11 13:33:28
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CDR34BP332BKZRAT 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率晶体管，专为高频率、高效率的应用场景设计。该器件采用增强型场效应晶体管（e-mode FET）结构，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于电源管理、DC-DC转换器、无线充电及高频逆变器等应用领域。
该型号属于 Cree 公司（现为 Wolfspeed）推出的 GaN 系列产品，其封装形式为表面贴装（SMD），适合自动化生产和紧凑型设计需求。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：1.5A
导通电阻：70mΩ
栅极阈值电压：1.5V~3V
工作温度范围：-55℃~150℃
封装形式：SMD
CDR34BP332BKZRAT 拥有以下显著特性：
1. 高击穿电压（600V），可满足宽范围输入电压的应用需求。
2. 极低的导通电阻（70mΩ），有助于降低传导损耗并提升系统效率。
3. 快速开关性能，支持 MHz 级别的开关频率操作，减少磁性元件体积并优化整体设计。
4. 内置 ESD 保护功能，提高了器件在严苛环境下的可靠性。
5. 小型化封装，节省 PCB 空间并简化散热管理。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 无线充电发射端
4. 高频逆变器
5. 工业电机驱动
6. 太阳能微型逆变器
其高频特性和高效率特别适合对能量密度要求较高的场景。
CDR34BP332BQZRACT, CDR34AP332BKZRAT
