时间：2025/6/6 15:29:18
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CDR34BP242BJZRAT 是一款基于 CMOS 工艺的高压功率 MOSFET，专为高效率、高频开关应用设计。该器件采用 TO-252 封装形式，具有出色的电气特性和热性能，适合于电源管理、电机驱动和工业控制等应用场景。
这款 MOSFET 的设计重点在于降低导通电阻（Rds(on)），从而减少功率损耗并提高系统效率。同时，其快速开关特性有助于降低开关损耗，非常适合在高频 DC-DC 转换器、逆变器和 LED 驱动器中使用。
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vdss)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：31A
导通电阻(Rds(on))：2.4mΩ
总栅极电荷(Qg)：95nC
输入电容(Ciss)：2250pF
封装形式：TO-252
工作温度范围：-55℃ to +175℃
CDR34BP242BJZRAT 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（2.4mΩ），可有效降低导通损耗，提升整体系统效率。
2. 快速开关特性，支持高频操作，减少开关损耗。
3. 较高的漏极电流能力（31A），能够适应大功率应用场景。
4. 宽广的工作温度范围（-55℃ 至 +175℃），适合恶劣环境下的使用。
5. 高可靠性设计，确保长时间稳定运行。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
该 MOSFET 广泛应用于多种电力电子设备中，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 电机驱动控制器
4. 工业自动化设备
5. 电池管理系统 (BMS)
6. 太阳能逆变器
7. LED 照明驱动电路
8. 汽车电子中的负载切换和电源管理
CDR34BP242BZRA, IRFZ44N, FDP55N06L
