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CDR34BP222BJZRAT 发布时间 时间:2025/6/11 13:32:41 查看 阅读:21

CDR34BP222BJZRAT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,适用于高效率、高频率的开关电源应用。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,能够有效降低能量损耗并提升系统性能。
  该芯片通常用于 DC-DC 转换器、AC-DC 适配器、电机驱动以及各类需要高效能功率管理的电子设备中。

参数

型号:CDR34BP222BJZRAT
  类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压Vds:60V
  最大栅源电压Vgs:±20V
  连续漏极电流Id:22A
  导通电阻Rds(on):2.2mΩ(典型值,Vgs=10V)
  总功耗Ptot:175W
  结温范围Tj:-55°C 至 +175°C
  封装形式:TO-247

特性

CDR34BP222BJZRAT 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻 (2.2mΩ),显著降低了传导损耗,提升了系统的整体效率。
  2. 快速的开关速度,支持高频工作环境,从而减小了外部元件的尺寸和系统体积。
  3. 高电流承载能力 (22A),适用于大功率应用场景。
  4. 具备强大的热性能,确保在高温环境下仍能保持稳定运行。
  5. 内置防静电保护功能,提高了产品的可靠性和耐用性。
  6. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。

应用

CDR34BP222BJZRAT 广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
  2. 电机驱动和控制电路。
  3. 工业自动化设备中的功率管理模块。
  4. 通信设备中的高效能电源解决方案。
  5. 太阳能逆变器和储能系统。
  6. 各类需要高效率、高可靠性功率切换的应用场景。

替代型号

CDR34BP222BZRA, CDR34BP222BJZRA

CDR34BP222BJZRAT参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列Military, MIL-PRF-55681, CDR34
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容2200 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数BP
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级-
  • 应用高可靠性
  • 故障率R(0.01%)
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1812(4532 公制)
  • 大小 / 尺寸0.177" 长 x 0.126" 宽(4.50mm x 3.20mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.059"(1.50mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-