CDR34BP222BJZRAT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,适用于高效率、高频率的开关电源应用。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,能够有效降低能量损耗并提升系统性能。
该芯片通常用于 DC-DC 转换器、AC-DC 适配器、电机驱动以及各类需要高效能功率管理的电子设备中。
型号:CDR34BP222BJZRAT
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压Vds:60V
最大栅源电压Vgs:±20V
连续漏极电流Id:22A
导通电阻Rds(on):2.2mΩ(典型值,Vgs=10V)
总功耗Ptot:175W
结温范围Tj:-55°C 至 +175°C
封装形式:TO-247
CDR34BP222BJZRAT 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻 (2.2mΩ),显著降低了传导损耗,提升了系统的整体效率。
2. 快速的开关速度,支持高频工作环境,从而减小了外部元件的尺寸和系统体积。
3. 高电流承载能力 (22A),适用于大功率应用场景。
4. 具备强大的热性能,确保在高温环境下仍能保持稳定运行。
5. 内置防静电保护功能,提高了产品的可靠性和耐用性。
6. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。
CDR34BP222BJZRAT 广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动和控制电路。
3. 工业自动化设备中的功率管理模块。
4. 通信设备中的高效能电源解决方案。
5. 太阳能逆变器和储能系统。
6. 各类需要高效率、高可靠性功率切换的应用场景。
CDR34BP222BZRA, CDR34BP222BJZRA