时间：2025/6/12 6:38:26
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CDR34BP222BJZPAT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要应用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等领域。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，能够显著提高系统效率并降低功耗。
它是一种 N 沟道增强型 MOSFET，通过优化栅极电荷设计，在高频工作条件下表现尤为出色。此外，该芯片还具备出色的热性能和耐用性，适合工业级和消费级应用。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：40A
导通电阻：2.2mΩ
栅极电荷：95nC
总电容：1800pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可有效减少导通损耗。
2. 快速开关能力，支持高频操作，适用于高效率电源设计。
3. 高度可靠的雪崩击穿能力和短路耐受时间，增强了器件在异常条件下的保护能力。
4. 优化的热阻设计，确保了良好的散热性能。
5. 具备优异的静电防护性能 (ESD)，提高了产品的稳定性和寿命。
6. 符合 RoHS 标准，绿色环保，适合现代电子设备的要求。
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管。
2. 用于电机驱动电路，控制直流或无刷电机的速度和方向。
3. 在 DC-DC 转换器中作为同步整流器或者功率级开关。
4. 各类负载切换应用，例如服务器电源、通信电源等。
5. 太阳能逆变器以及其他新能源相关设备中的功率转换部分。
CDR34BP220BJZPAT, IRF2807Z, FDP18N60C
