时间：2025/12/24 8:21:19
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CDR34BP222BFZMAT是一款高性能的MOSFET功率晶体管，采用TO-263封装形式。该器件专为高频开关应用设计，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，能够有效降低功耗并提高系统效率。其主要应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及各种功率转换电路中。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：22A
导通电阻：8mΩ
栅极电荷：35nC
开关频率：高达1MHz
工作温度范围：-55℃至+175℃
CDR34BP222BFZMAT具备低导通电阻特性，这使其在高电流应用场景下能够显著减少发热，提升整体效率。
此外，该器件拥有快速的开关速度，适合高频工作的场合，例如开关电源和PWM控制器等。
同时，它采用了先进的封装技术，增强了散热性能，并且能够在较宽的工作温度范围内稳定运行，适用于工业级和汽车级应用环境。
该器件广泛应用于各类功率电子设备中，包括但不限于以下领域：
1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流
2. DC-DC转换器的核心开关元件
3. 电机驱动电路中的功率输出级
4. 太阳能逆变器及电池管理系统(BMS)
5. 各种需要高效功率转换的工业控制设备
CDR34BP222BFZMAT-A, CDR34BP222BFZMAT-B
