时间：2025/6/6 11:49:58
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CDR33BX273BMZMAT是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率晶体管，专为高频和高效率应用设计。该器件采用了先进的封装技术，确保在高频工作条件下具备低寄生电感和优异的热性能。其典型应用场景包括开关电源、DC-DC转换器以及射频功率放大器等。此外，CDR33BX273BMZMAT支持高电压操作，同时具有快速开关速度和较低的导通电阻，能够显著提升系统的整体效率。
这款器件特别适合需要高功率密度和紧凑设计的应用场景，例如通信基站、工业电源及新能源汽车充电桩等领域。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：15A
导通电阻：35mΩ
栅极阈值电压：2.5V
开关频率：高达5MHz
结温范围：-55℃至+175℃
封装形式：TO-247-4L
1. 基于氮化镓材料，提供卓越的高频和高效率性能。
2. 低导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗。
3. 高击穿电压（600V），适应各种高压应用场景。
4. 快速开关速度和低开关损耗，可实现更高效的功率转换。
5. 先进的封装技术有效降低寄生效应并优化散热性能。
6. 支持宽泛的工作温度范围，适用于恶劣环境条件下的运行。
1. 开关模式电源（SMPS）：
- 工业级AC-DC转换器
- 数据中心电源模块
2. DC-DC转换器：
- 汽车电子系统
- 通信设备中的中间总线架构
3. 射频功率放大器：
- 无线通信基站
- 医疗成像设备
4. 新能源领域：
- 太阳能逆变器
- 电动车充电桩
5. 能量回收系统：
- 工业电机驱动
- 电梯能量再生单元
CDR33BX280BMZMAT, CDR33BX265BMZMAT
