时间：2025/5/21 8:50:49
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CDR33BX104AMSP 是一款由 ON Semiconductor 提供的瞬态电压抑制器 (TVS) 芯片，主要用于保护敏感电子设备免受静电放电 (ESD)、雷击浪涌和其他瞬态过电压事件的影响。该器件采用紧凑的 SOD-323 封装形式，适用于空间受限的设计场景。其单向 TVS 特性使其非常适合用于数据线和信号线的保护应用。
CDR33BX104AMSP 的工作原理基于雪崩击穿机制，在超过其额定电压时能够快速响应并钳位瞬态电压，从而防止下游电路受到损害。此外，它具有低电容特性，可以最大限度地减少对高速信号完整性的影响。
最大反向关断电压：10.8V
击穿电压：11.6V
最大箝位电压：19.5V
峰值脉冲电流：67A
电容：15pF
结电容：15pF
漏电流：1μA（最大值，@VRWM=10.8V）
响应时间：1ps
封装：SOD-323
1. 高浪涌能力：能够承受高达 67A 的峰值脉冲电流，确保在恶劣环境下提供可靠的保护。
2. 快速响应时间：1 皮秒的响应速度可以迅速抑制瞬态过电压，保护下游电路。
3. 低电容设计：仅 15pF 的电容值，适合高速信号线路，不会显著影响信号质量。
4. 紧凑封装：SOD-323 封装使得该器件易于集成到小型化设计中。
5. 单向保护：专为直流供电或单极性信号线路设计，提供高效的单向过压保护。
1. USB 和其他高速数据接口的 ESD 和浪涌保护。
2. 手机、平板电脑等便携式电子设备的电源和信号线保护。
3. 工业控制系统的通信端口防护。
4. 汽车电子中的 CAN/LIN 总线保护。
5. 医疗设备中的敏感信号通道防护。
CDR33BZ104AMSP, PESD10V1BTCT, SMAJ11A
