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CDR33BP302AJZRAT 发布时间 时间:2025/5/31 1:54:23 查看 阅读:9

CDR33BP302AJZRAT是一款高性能的功率MOSFET芯片,采用先进的制造工艺设计。该芯片具有低导通电阻、高耐压和快速开关速度等特点,适用于多种功率转换和驱动应用。其封装形式为TO-252(DPAK),能够提供卓越的散热性能和电气稳定性。
  该器件广泛应用于消费电子、工业控制、电源管理和电机驱动等领域。由于其出色的电气特性和可靠性,CDR33BP302AJZRAT成为许多工程师在设计高效率功率系统时的首选。

参数

类型:N-Channel MOSFET
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):14A
  导通电阻(Rds(on)):2.6mΩ
  总功耗(Ptot):98W
  工作温度范围(Ta):-55℃ to +175℃
  封装形式:TO-252 (DPAK)

特性

CDR33BP302AJZRAT的核心优势在于其低导通电阻(2.6mΩ),这有助于降低传导损耗并提高整体效率。
  此外,该芯片还具备以下特点:
  - 高额定电流能力(14A),使其能够在大功率应用场景中稳定运行。
  - 快速开关速度,有效减少开关损耗。
  - 高度可靠的设计,支持宽温度范围操作(-55℃至+175℃)。
  - 具备出色的热性能和电气隔离性能,适应恶劣的工作环境。
  这些特性使CDR33BP302AJZRAT成为各种高要求功率应用的理想选择。

应用

CDR33BP302AJZRAT适用于广泛的功率转换和驱动场景,包括但不限于:
  - 开关电源(SMPS)中的功率级开关元件。
  - DC-DC转换器中的同步整流或主开关。
  - 电机驱动电路中的功率输出级。
  - 工业自动化设备中的负载切换。
  - 汽车电子系统中的高可靠性功率管理组件。
  凭借其强大的性能表现,这款MOSFET能够满足现代高效能电力系统的需求。

替代型号

CDR33BP302BQZRA, IRF3710, FDP150N06L

CDR33BP302AJZRAT参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列Military, MIL-PRF-55681, CDR33
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容3000 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数BP
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级-
  • 应用高可靠性
  • 故障率R(0.01%)
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.049"(1.25mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-