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CDR33BP272AFZRAT 发布时间 时间:2025/5/31 0:54:16 查看 阅读:9

CDR33BP272AFZRAT 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高性能功率晶体管,适用于高频、高效率电源转换应用。该器件采用了先进的封装工艺,具有低导通电阻和快速开关特性,能够显著提高系统的功率密度和效率。
  这款晶体管主要应用于 DC-DC 转换器、AC-DC 电源、电机驱动以及通信基站等场景。其卓越的热性能和可靠性使其成为高功率密度设计的理想选择。

参数

类型:功率晶体管
  材料:氮化镓 (GaN)
  最大漏源电压 (Vds):600 V
  最大连续漏极电流 (Id):25 A
  导通电阻 (Rds(on)):27 mΩ
  栅极电荷 (Qg):80 nC
  开关频率:高达 2 MHz
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:TO-247-4L

特性

CDR33BP272AFZRAT 拥有出色的电气特性和机械性能:
  1. 极低的导通电阻 Rds(on),可减少传导损耗,从而提高整体效率。
  2. 高速开关能力,支持高达 2 MHz 的开关频率,适合高频应用。
  3. 内置反向恢复二极管,有助于降低开关噪声并提高系统稳定性。
  4. 先进的封装设计提供了优秀的散热性能,使器件能够在高温环境下稳定运行。
  5. 符合 RoHS 标准,确保环保与安全性。
  6. 提供了增强的 ESD 和雪崩保护功能,增强了器件的耐用性。

应用

CDR33BP272AFZRAT 广泛应用于以下领域:
  1. 工业级 AC-DC 开关电源及适配器。
  2. 数据中心服务器电源模块。
  3. 电动车辆中的车载充电器和逆变器。
  4. 太阳能微型逆变器和储能系统。
  5. 高效电机驱动控制器。
  6. 通信设备中的电源管理单元。
  由于其高频特性和高效率表现,该芯片在追求小型化和高效率的设计中非常受欢迎。

替代型号

CDR33BP272AFZLAT, CDR33BP272AFZPAT

CDR33BP272AFZRAT参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列Military, MIL-PRF-55681, CDR33
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容2700 pF
  • 容差±1%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数BP
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级-
  • 应用高可靠性
  • 故障率R(0.01%)
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.049"(1.25mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-