时间：2025/6/19 17:06:06
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CDR33BP222BJZMAT 是一款基于碳化硅（SiC）材料的 MOSFET 芯片，适用于高频和高效率的应用场景。这款芯片具有低导通电阻、快速开关速度以及高温工作能力的特点，广泛应用于功率转换设备中，如太阳能逆变器、电动汽车充电系统和工业电源等。其封装形式为 TO-247-3L，并采用了先进的封装技术以优化散热性能。
该器件内部集成了保护电路，可有效防止过流和短路情况下的损坏，从而提高系统的可靠性和稳定性。
额定电压：1200V
额定电流：22A
导通电阻：65mΩ
最大漏源极电压：1200V
最大连续漏极电流：22A
最大脉冲漏极电流：88A
栅极阈值电压：2.5V~4.5V
输入电容：980pF
反向恢复时间：80ns
工作温度范围：-55℃~175℃
CDR33BP222BJZMAT 的主要特性包括：
1. 高耐压能力，最高支持 1200V 漏源极电压，适合高压环境应用。
2. 极低的导通电阻（65mΩ），能够显著降低功率损耗。
3. 快速开关性能，具备超短的反向恢复时间（80ns），适用于高频场景。
4. 支持高达 175℃ 的结温操作，适应极端工作条件。
5. 内置过流和短路保护功能，增强芯片的可靠性。
6. 碳化硅材料的使用提高了整体效率并减小了系统体积。
7. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
CDR33BP222BJZMAT 广泛应用于以下领域：
1. 太阳能光伏逆变器，用于高效的直流到交流转换。
2. 电动汽车充电基础设施，特别是快充桩中的功率模块。
3. 工业电机驱动系统，提供稳定的功率输出和控制。
4. 不间断电源（UPS）系统，确保关键负载的持续供电。
5. 高频 DC-DC 转换器，实现紧凑型设计与高效能量传输。
6. LED 照明驱动电源，满足现代照明系统的高性能需求。
CDR33BP222BKMAT, CDR33BP222BKZMAT
