CDR33BP222BFZMAT 是一款基于碳化硅 (SiC) 材料的肖特基二极管模块,广泛应用于高频和高功率场景。该器件具有低正向压降、快速恢复时间和高浪涌电流能力等优点,适合于开关电源、逆变器以及电机驱动等应用领域。
其封装形式为表面贴装类型,能够满足现代电子设备对紧凑设计的需求。
额定电压:1200V
额定电流:25A
正向压降:1.6V(典型值)
反向恢复时间:50ns(最大值)
工作温度范围:-55℃至+175℃
结电容:25pF(典型值)
1. 高耐压能力:额定电压高达1200V,适用于高压环境下的各种电力转换系统。
2. 快速开关性能:得益于碳化硅材料的优异特性,该器件具备极短的反向恢复时间,从而减少开关损耗并提高效率。
3. 热稳定性强:能够在较宽的工作温度范围内保持稳定性能,尤其在高温条件下表现卓越。
4. 高可靠性:采用先进的制造工艺,确保长期使用中的稳定性和耐用性。
5. 小型化设计:表面贴装封装使其易于集成到紧凑型电路板中,同时提升了散热性能。
CDR33BP222BFZMAT 主要用于需要高效能和高频工作的电力电子设备中,具体包括但不限于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS)
2. 太阳能逆变器
3. 电动车辆(EV)充电系统
4. 工业电机驱动
5. 不间断电源(UPS)系统
CDR33BP222BFXMAT, CDR33AP222BFZMAT