时间：2025/12/24 8:20:55
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CDR33BP162BKZSAT 是一款由知名半导体厂商生产的高效能功率MOSFET芯片，采用先进的制造工艺，主要应用于高效率开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等场景。该器件具备低导通电阻和快速开关性能，能够有效降低功耗并提升系统效率。
该型号属于N沟道增强型MOSFET，具有出色的热稳定性和可靠性，在高温环境下依然保持高性能表现。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：38A
导通电阻：1.6mΩ
栅极电荷：95nC
开关速度：超高速
封装形式：TO-247-3L
CDR33BP162BKZSAT 的主要特点是其低导通电阻（仅1.6mΩ），这使得它在大电流应用中表现出色，同时能够显著减少传导损耗。此外，该器件的栅极电荷较小，有助于实现快速开关操作，从而降低开关损耗。
该器件还具有良好的雪崩能力和热稳定性，能够在恶劣的工作条件下保持可靠运行。其TO-247-3L封装形式提供了优秀的散热性能，适合高功率密度的设计需求。
由于其高效的性能和可靠性，CDR33BP162BKZSAT 成为众多工业级和汽车级应用的理想选择，例如电动汽车电机控制器、太阳能逆变器以及高端服务器电源模块。
CDR33BP162BKZSAT 广泛应用于需要高效率和大电流处理能力的场景，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 电动车辆电机驱动
4. 工业自动化设备
5. 太阳能逆变器
6. 通信基站电源模块
该器件的高性能和稳定性使其成为这些应用中的关键组件，特别是在对效率和可靠性要求极高的场合。
CDR33BP162BKZSAX, CDR33BP162BKZSAJ, IRF3710
