时间：2025/5/20 13:49:02
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CDR33BP132BFZPAT是一款高性能的功率MOSFET芯片，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等领域。该器件采用先进的半导体制造工艺，具备低导通电阻和高电流处理能力，能够显著提高系统的效率和稳定性。
该芯片具有出色的热性能和可靠性，能够在高温环境下长时间稳定工作，适用于工业控制、通信设备及消费类电子等多种应用场景。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：32A
导通电阻：2.6mΩ
栅极电荷：85nC
开关速度：超高速
封装类型：TO-247
工作温度范围：-55℃ to 150℃
CDR33BP132BFZPAT的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（2.6mΩ），有助于减少功率损耗并提升系统效率。
2. 高电流承载能力（32A），可满足大功率应用的需求。
3. 超高速开关性能，支持高频开关操作，适合于开关电源和DC-DC转换器。
4. 优异的热性能设计，确保在高温环境下的稳定运行。
5. 强大的抗静电能力，提高了产品的可靠性和使用寿命。
6. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。
CDR33BP132BFZPAT的应用领域非常广泛，主要包括：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. DC-电机驱动与控制
4. 工业自动化设备
5. 通信电源
6. 消费类电子产品中的电源管理模块
其高效能和高可靠性使其成为许多高功率应用的理想选择。
CDR33BP132BFZPAN, IRFP260N, STP132N10F5
