时间：2025/5/20 13:47:48
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CDR33BP122BKZRAT 是一款基于碳化硅 (SiC) 技术的 MOSFET 功率晶体管，专为高效率和高频率开关应用设计。该器件采用 TO-247 封装形式，具备低导通电阻、快速开关特性和高温工作能力。
其主要应用领域包括电动汽车充电桩、太阳能逆变器、不间断电源 (UPS) 和其他需要高性能功率转换的工业设备。由于采用了先进的 SiC 材料，CDR33BP122BKZRAT 在高频条件下表现出卓越的效率，并能够显著降低系统能耗。
最大漏源电压：1200V
连续漏极电流：33A
导通电阻：35mΩ
栅极电荷：150nC
输入电容：1800pF
工作结温范围：-55℃ 至 175℃
CDR33BP122BKZRAT 具有以下显著特点：
1. 高击穿电压 (1200V)，适用于高压环境下的功率转换。
2. 超低导通电阻 (35mΩ)，有助于减少传导损耗，提高整体效率。
3. 快速开关性能，可实现高频操作，从而减小磁性元件的体积和重量。
4. 高温适应性 (最高结温可达 175℃)，确保在恶劣环境下的可靠运行。
5. 碳化硅材料的使用使其具有更高的热稳定性和更低的总能量损耗。
6. 可靠的 TO-247 封装设计，便于散热管理并适合多种安装方式。
这款 MOSFET 主要应用于以下场景：
1. 工业电机驱动系统中的功率级控制。
2. 太阳能光伏逆变器的核心功率转换模块。
3. 电动车车载充电器及外部充电桩的 DC/DC 和 DC/AC 转换。
4. 不间断电源 (UPS) 和其他高可靠性电源系统。
5. 高频 DC/DC 转换器，尤其是在需要小型化设计的应用中。
6. 各种要求高效率、高功率密度的电力电子设备。
CDR33BP122BZRAJAT, CDR33BP122BZRAWAT
