时间：2025/6/25 14:49:03
阅读：20
CDR33BP112BFZRAT 是一款基于碳化硅（SiC）技术的肖特基二极管，专为高效率和高频率应用设计。该二极管具有低正向压降、快速恢复时间和高浪涌能力等特性，非常适合用于开关电源、逆变器、DC-DC转换器以及其他高频电力电子设备中。
其封装形式为TO-247-3，具备良好的散热性能，同时支持高功率密度的设计需求。
最大正向电流：30A
最大反向电压：1200V
正向压降：1.4V（典型值，@25°C，IF=15A）
反向恢复时间：50ns（典型值）
结温范围：-55°C至+175°C
热阻：0.6°C/W
CDR33BP112BFZRAT 的核心优势在于采用了先进的碳化硅材料，使得器件在高频工作条件下依然能够保持较低的功耗和高效的性能。
1. 超低正向压降有效减少了导通损耗。
2. 极短的反向恢复时间使其在高频应用中表现出色。
3. 高耐压等级确保了在高压系统中的可靠性。
4. 碳化硅材料的使用提升了整体效率并降低了对散热系统的依赖。
5. 宽温度范围和高浪涌能力进一步增强了器件的稳定性和耐用性。
该二极管广泛应用于工业和汽车领域，例如：
1. 开关模式电源（SMPS）中的整流和箝位功能。
2. 太阳能逆变器和风力发电系统中的功率转换。
3. 电动汽车（EV）充电基础设施及车载充电器。
4. 工业电机驱动和不间断电源（UPS）系统。
5. DC-DC转换器和其他高频电力电子电路。
CDR33BP112BFSRAT, CDR33BP112BFZRAH
