CDR31BX822AKZPAT是一款高性能的射频功率晶体管,主要用于无线通信系统中的功率放大器应用。该器件采用先进的半导体制造工艺,能够提供高增益、高效率和高线性度的性能,适用于GSM、WCDMA、LTE等移动通信标准中的基站,支持高频段运行,同时具备良好的稳定性和可靠性。
型号:CDR31BX822AKZPAT
类型:射频功率晶体管
工作频率范围:1805 MHz 至 1880 MHz
输出功率:43 dBm(典型值)
增益:16.5 dB(典型值)
效率:58%(典型值)
电源电压:28 V
封装形式:表面贴装(SMT)
最大结温:175°C
输入匹配阻抗:50 Ω
输出匹配阻抗:50 Ω
CDR31BX822AKZPAT具有出色的射频性能,能够在较宽的工作频率范围内提供高效率和高线性度。
该器件采用了高效的散热结构设计,能够显著降低热阻,从而提高长期工作的可靠性。
内置保护电路可以防止过压、过流及过热对器件造成损坏,增强了系统的稳定性。
此外,其表面贴装封装形式简化了PCB布局和安装过程,非常适合大规模生产环境。
CDR31BX822AKZPAT还具备优异的互调失真性能,满足现代通信系统对信号质量的严格要求。
CDR31BX822AKZPAT主要应用于无线通信基础设施领域,包括但不限于:
- GSM、WCDMA、LTE等蜂窝网络基站的功率放大器模块。
- 微波链路设备中的中继放大器。
- 移动通信测试设备的射频信号源。
- 其他需要高效射频功率放大的场景,如雷达系统或工业射频设备。
CDR31BX822AKZPBT, CDR31BX823AKZPAT