时间：2025/7/3 21:51:59
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CDR31BX821BMZSAT是一款高性能的功率MOSFET芯片，广泛应用于电源管理、电机驱动和工业控制领域。该芯片采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能，能够有效提升系统的效率和可靠性。
类型：N沟道增强型MOSFET
电压等级：650V
持续漏极电流：45A
导通电阻：45mΩ
栅极电荷：95nC
输入电容：2200pF
总功耗：200W
工作温度范围：-55℃至+175℃
CDR31BX821BMZSAT的主要特性包括低导通电阻以减少传导损耗，从而提高整体系统效率；高击穿电压确保在高压环境下的可靠运行；快速开关能力有助于降低开关损耗并支持高频操作；内置静电保护功能增强了器件的鲁棒性；具备良好的热稳定性和散热性能，适用于严该器件还采用了先进的封装技术，提高了电气性能和机械稳定性，同时简化了装配流程。其卓越的动态性能使其非常适合要求严格的工业和汽车应用环境。
该芯片主要应用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、逆变器、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器、电动车辆牵引逆变器以及各类工业电机驱动场景。由于其出色的性能和可靠性，它也常被用于需要高能效和高功率密度的设计中。
CDR31BX821AMZSAT, CDR31BX821CMZSAT
