CDR31BX821BKZMAT 是一款高性能的射频功率晶体管,主要用于无线通信系统中的功率放大器应用。该器件采用先进的半导体制造工艺,具备高效率、高增益和优异的线性度特性,广泛适用于基站、中继站以及其他射频功率放大的场景。
该晶体管通过优化设计,能够在高频段提供稳定的输出功率,同时保证较低的热阻和较高的可靠性,适合长时间连续运行。
型号:CDR31BX821BKZMAT
类型:射频功率晶体管
封装形式:表面贴装(SMD)
工作频率范围:1700 MHz 至 2200 MHz
输出功率:43 dBm 典型值
增益:16 dB 典型值
效率:60% 典型值
最大漏极电流:12 A
最大漏极电压:50 V
热阻(结到壳):2.5°C/W
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
CDR31BX821BKZMAT 提供卓越的射频性能,主要体现在以下几个方面:
1. 高输出功率和效率:在指定频率范围内,能够实现高达43 dBm的输出功率,并保持超过60%的典型效率。
2. 稳定性:即使在宽温度范围内,也能维持稳定的输出功率和增益。
3. 高线性度:特别适合对信号质量要求较高的应用场景,如现代数字通信系统。
4. 小型化封装:采用SMD封装技术,方便电路板设计与生产,同时减少整体尺寸。
5. 低热阻设计:确保在高功率操作下具有良好的散热性能,延长器件寿命。
6. 可靠性:经过严格的测试和验证,满足长期使用的工业标准。
CDR31BX821BKZMAT 主要应用于以下领域:
1. 基站功率放大器:支持无线通信网络中的射频信号放大。
2. 中继站设备:用于增强远距离通信信号强度。
3. 工业无线电设备:如专用无线通信系统、卫星通信终端等。
4. 测试与测量仪器:需要高功率射频源的应用场合。
5. 军事及航空航天领域:对高可靠性和高性能有严格要求的特殊环境。
CDR31BX821BKMAT, CDR31AX821BKZMAT