时间：2025/6/3 21:30:08
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CDR31BX562AMZRAT 是一款高性能的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电路等领域。该器件具有低导通电阻、快速开关特性和高可靠性，适用于各种工业和消费类电子产品。
型号：CDR31BX562AMZRAT
类型：MOSFET
封装：TO-252
耐压：60V
电流：-42A
导通电阻：4.5mΩ
栅极电荷：10nC
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
CDR31BX562AMZRAT 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (4.5mΩ)，能够显著降低功率损耗。
2. 高速开关性能，适合高频应用场合。
3. 支持大电流操作 (-42A)，具备出色的负载能力。
4. 良好的热稳定性，在高温环境下仍能保持稳定运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保设计。
6. 提供优异的抗 ESD 和抗浪涌能力，确保长期可靠运行。
该 MOSFET 可以用于以下应用场景：
1. 开关电源中的同步整流器。
2. DC-DC 转换器的核心开关元件。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 各种负载开关应用。
5. 电池管理系统中的保护电路。
6. 汽车电子系统中的电源管理模块。
CDR31BX562AMZPAT, CDR31BX562AMZBAT
