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CDR31BX562AMZRAT 发布时间 时间:2025/6/3 21:30:08 查看 阅读:5

CDR31BX562AMZRAT 是一款高性能的 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电路等领域。该器件具有低导通电阻、快速开关特性和高可靠性,适用于各种工业和消费类电子产品。

参数

型号:CDR31BX562AMZRAT
  类型:MOSFET
  封装:TO-252
  耐压:60V
  电流:-42A
  导通电阻:4.5mΩ
  栅极电荷:10nC
  工作温度范围:-55℃ 至 175℃

特性

CDR31BX562AMZRAT 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻 (4.5mΩ),能够显著降低功率损耗。
  2. 高速开关性能,适合高频应用场合。
  3. 支持大电流操作 (-42A),具备出色的负载能力。
  4. 良好的热稳定性,在高温环境下仍能保持稳定运行。
  5. 符合 RoHS 标准,环保设计。
  6. 提供优异的抗 ESD 和抗浪涌能力,确保长期可靠运行。

应用

该 MOSFET 可以用于以下应用场景:
  1. 开关电源中的同步整流器。
  2. DC-DC 转换器的核心开关元件。
  3. 电机驱动电路中的功率级控制。
  4. 各种负载开关应用。
  5. 电池管理系统中的保护电路。
  6. 汽车电子系统中的电源管理模块。

替代型号

CDR31BX562AMZPAT, CDR31BX562AMZBAT

CDR31BX562AMZRAT参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列Military, MIL-PRF-55681, CDR31
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容5600 pF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数BX
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级-
  • 应用高可靠性
  • 故障率R(0.01%)
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.051"(1.30mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-