CDR31BX562AKZSAT是一款高性能的射频功率晶体管,广泛应用于无线通信领域。该器件采用先进的LDMOS(Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor)技术制造,具有高效率、高增益和良好的线性度等特性。它适用于基站放大器、无线电发射机和其他高频功率应用。此外,其封装设计优化了散热性能,能够满足苛刻的工作条件。
该型号属于Nexperia(前身为恩智浦半导体的一部分)旗下的射频功率产品系列,专为多载波GSM/WCDMA/LTE应用而设计,可提供卓越的输出功率和稳定性。
类型:射频功率晶体管
频率范围:700 MHz 至 dBm
增益:14 dB
效率:52 %
电源电压:28 V
最大结温:175 °C
封装形式:表面贴装(SAT)
CDR31BX562AKZSAT具备以下关键特性:
1. 高效的LDMOS工艺,支持宽广的频率范围覆盖,适合多种通信标准。
2. 提供高达42 dBm的输出功率,能够在复杂的多载波环境下保持稳定运行。
3. 优异的线性度表现,有助于减少信号失真并提高通信质量。
4. 内置匹配网络,简化外部电路设计,同时降低整体系统复杂度。
5. 表面贴装封装(SAT),具备优良的热管理和机械可靠性。
6. 能够承受高驻波比环境下的工作,确保长期可靠性。
这款射频功率晶体管主要应用于以下领域:
1. GSM、WCDMA和LTE基站放大器。
2. 多载波功率放大器(MCPA)。
3. 无线基础设施设备中的发射机模块。
4. 工业、科学和医疗(ISM)频段的射频功率应用。
5. 测试与测量仪器中的高功率信号生成。
由于其出色的性能和可靠性,CDR31BX562AKZSAT成为现代通信系统中不可或缺的核心组件。
CDR31BX561AKZSAT
CDR31BX563AKZSAT
CDR31BX564AKZSAT