时间：2025/6/4 1:50:03
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CDR31BX562AKZSAT是一款高性能的射频功率晶体管，广泛应用于无线通信领域。该器件采用先进的LDMOS（Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor）技术制造，具有高效率、高增益和良好的线性度等特性。它适用于基站放大器、无线电发射机和其他高频功率应用。此外，其封装设计优化了散热性能，能够满足苛刻的工作条件。
该型号属于Nexperia（前身为恩智浦半导体的一部分）旗下的射频功率产品系列，专为多载波GSM/WCDMA/LTE应用而设计，可提供卓越的输出功率和稳定性。
类型：射频功率晶体管
频率范围：700 MHz 至 dBm
增益：14 dB
效率：52 %
电源电压：28 V
最大结温：175 °C
封装形式：表面贴装（SAT）
CDR31BX562AKZSAT具备以下关键特性：
1. 高效的LDMOS工艺，支持宽广的频率范围覆盖，适合多种通信标准。
2. 提供高达42 dBm的输出功率，能够在复杂的多载波环境下保持稳定运行。
3. 优异的线性度表现，有助于减少信号失真并提高通信质量。
4. 内置匹配网络，简化外部电路设计，同时降低整体系统复杂度。
5. 表面贴装封装（SAT），具备优良的热管理和机械可靠性。
6. 能够承受高驻波比环境下的工作，确保长期可靠性。
这款射频功率晶体管主要应用于以下领域：
1. GSM、WCDMA和LTE基站放大器。
2. 多载波功率放大器（MCPA）。
3. 无线基础设施设备中的发射机模块。
4. 工业、科学和医疗（ISM）频段的射频功率应用。
5. 测试与测量仪器中的高功率信号生成。
由于其出色的性能和可靠性，CDR31BX562AKZSAT成为现代通信系统中不可或缺的核心组件。
CDR31BX561AKZSAT
CDR31BX563AKZSAT
CDR31BX564AKZSAT
