时间：2025/6/6 11:51:57
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CDR31BX561BKZPAT 是一款由罗姆（ROHM）公司生产的高可靠性、低导通电阻的 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用 TO-263-3 封装，适用于各种工业和汽车电子应用中的开关电源、电机驱动以及负载切换等场景。其优异的电气性能和热特性使其成为高性能功率转换的理想选择。
该器件具有较低的导通电阻 (Rds(on)) 和较高的雪崩击穿能力，能够在高电流和高电压条件下稳定工作。同时，它还具备快速开关速度和较低的栅极电荷，从而能够减少开关损耗并提高效率。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：56A
导通电阻：1.2mΩ
栅极电荷：84nC
总功耗：224W
结温范围：-55℃至+175℃
CDR31BX561BKZPAT 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可显著降低传导损耗。
2. 高额定电流能力，支持高达 56A 的连续漏极电流。
3. 快速开关性能，降低了开关损耗，提升了系统效率。
4. 具备出色的雪崩击穿能力和抗浪涌能力，确保在严苛条件下的可靠运行。
5. 工作温度范围宽广 (-55℃ 至 +175℃)，适合高温环境下的应用。
6. 符合 AEC-Q101 标准，适用于汽车级应用。
7. 采用 TO-263-3 封装，便于安装和散热管理。
CDR31BX561BKZPAT 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动控制，如电动车窗、电动座椅和水泵等。
3. 工业设备中的负载切换和保护电路。
4. 电池管理系统 (BMS) 中的高侧和低侧开关。
5. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统的功率转换模块。
6. 汽车电子应用，例如 LED 照明驱动和车载充电器。
CDR31BX561AKZPAT, CDR31BX561DKZPAT
