时间：2025/6/14 10:34:39
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CDR31BX272BMZSAT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等应用。该芯片采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关特性，能够在高频工作条件下保持高效率和低损耗。
这款器件采用了 TO-263 封装形式，能够有效提高散热性能并支持更高的电流承载能力。其卓越的电气特性和可靠性使其成为许多工业和消费电子应用的理想选择。
类型：MOSFET
极性：N沟道
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
持续漏极电流(Id)：85A
导通电阻(Rds(on))：2.7mΩ
总功耗(Ptot)：190W
结温范围(Tj)：-55°C to 150°C
封装形式：TO-263
CDR31BX272BMZSAT 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），在高负载电流下显著降低传导损耗。
2. 快速开关特性，优化了开关频率下的动态性能。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
4. 热增强型 TO-263 封装，提升了散热性能。
5. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代电子产品的要求。
6. 具有优异的热稳定性和电气稳定性，确保长时间可靠运行。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的主开关或同步整流元件。
2. 电机驱动电路中的功率级控制。
3. 工业设备中的 DC-DC 转换模块。
4. 汽车电子系统中的大电流开关。
5. 太阳能逆变器以及其他需要高效功率转换的应用。
CDR31BX272BMZSAT 的高电流处理能力和低导通电阻使其非常适合需要高效率和高功率密度的设计。
CDR31BX272BMZS, CDR31BX272BMZSAR, CDR31BX272BMZSA
