时间：2025/6/12 6:31:09
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CDR31BX183AKUP 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要应用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等领域。该器件采用先进的半导体制造工艺，具备低导通电阻、高效率和出色的热性能，能够满足多种工业及消费类电子产品的设计需求。
CDR31BX183AKUP 的封装形式通常为 TO-，具有较高的电流承载能力和耐压能力，适合于中高功率的应用场景。
类型：N沟道 MOSFET
最大漏源电压(Vds)：650V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：18A
导通电阻(Rds(on))：0.18Ω（典型值，在 Vgs=10V 时）
总功耗(Ptot)：200W
工作温度范围(Tj)：-55°C 至 +175°C
封装：TO-220 或 D2PAK
CDR31BX183AKUP 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可以显著降低导通损耗，提高系统效率。
2. 高击穿电压 (Vds)，适用于高压环境下的应用。
3. 快速开关速度，减少开关损耗并提高高频操作能力。
4. 出色的热稳定性，能够在较宽的工作温度范围内保持良好的性能。
5. 内置 ESD 保护电路，增强器件的抗静电能力。
6. 符合 RoHS 标准，环保且无铅设计。
这些特性使 CDR31BX183AKUP 成为需要高效率和可靠性的功率转换应用的理想选择。
CDR31BX183AKUP 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 AC-DC 适配器。
2. DC-DC 转换器和降压/升压电路。
3. 电机驱动和控制电路。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 汽车电子系统中的负载开关和保护电路。
由于其高耐压和大电流能力，该器件特别适合需要在恶劣电气条件下工作的应用场景。
IRFZ44N, STP16NF06, FQP17N20
