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CDR31BX153AKZPAT 发布时间 时间:2025/6/3 22:41:38 查看 阅读:5

CDR31BX153AKZPAT 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于开关电源、电机驱动和逆变器等应用中。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度等特点,能够在高频和高效率的应用场景下提供稳定的性能。
  这款功率MOSFET属于N沟道增强型器件,其封装形式为表面贴装类型,适合自动化生产环境下的大规模应用。

参数

最大漏源电压:150V
  最大连续漏极电流:38A
  导通电阻(典型值):1.6mΩ
  栅极电荷:85nC
  开关速度:非常快
  工作温度范围:-55℃至175℃

特性

CDR31BX153AKZPAT 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻,在大电流应用中能够减少功耗并提升效率。
  2. 高击穿电压设计确保了器件在高压条件下的可靠性。
  3. 快速开关速度使得该MOSFET非常适合高频开关应用,例如DC-DC转换器和PWM控制器。
  4. 小型化封装有助于降低PCB板空间占用,并提高散热性能。
  5. 工作温度范围广,适用于工业级和汽车级应用环境。
  6. 栅极电荷较低,可有效减少驱动损耗,优化系统整体效率。

应用

CDR31BX153AKZPAT 广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS),包括AC-DC适配器和DC-DC转换器。
  2. 电机驱动器,如无刷直流电机(BLDC)和步进电机控制。
  3. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关的电力转换设备。
  4. 汽车电子系统中的负载切换和电池管理。
  5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
  6. 高效照明系统,如LED驱动器和镇流器。

替代型号

CDR31BX153AKZPATL, CDR31BX153AKZPATE, IRF3710

CDR31BX153AKZPAT参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列Military, MIL-PRF-55681, CDR31
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.015 μF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数BX
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级-
  • 应用高可靠性
  • 故障率P(0.1%)
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.051"(1.30mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-