CDR31BX153AKZPAT 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于开关电源、电机驱动和逆变器等应用中。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度等特点,能够在高频和高效率的应用场景下提供稳定的性能。
这款功率MOSFET属于N沟道增强型器件,其封装形式为表面贴装类型,适合自动化生产环境下的大规模应用。
最大漏源电压:150V
最大连续漏极电流:38A
导通电阻(典型值):1.6mΩ
栅极电荷:85nC
开关速度:非常快
工作温度范围:-55℃至175℃
CDR31BX153AKZPAT 具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻,在大电流应用中能够减少功耗并提升效率。
2. 高击穿电压设计确保了器件在高压条件下的可靠性。
3. 快速开关速度使得该MOSFET非常适合高频开关应用,例如DC-DC转换器和PWM控制器。
4. 小型化封装有助于降低PCB板空间占用,并提高散热性能。
5. 工作温度范围广,适用于工业级和汽车级应用环境。
6. 栅极电荷较低,可有效减少驱动损耗,优化系统整体效率。
CDR31BX153AKZPAT 广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS),包括AC-DC适配器和DC-DC转换器。
2. 电机驱动器,如无刷直流电机(BLDC)和步进电机控制。
3. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关的电力转换设备。
4. 汽车电子系统中的负载切换和电池管理。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 高效照明系统,如LED驱动器和镇流器。
CDR31BX153AKZPATL, CDR31BX153AKZPATE, IRF3710