CDR31BX152BMZMAT 是一款由 ON Semiconductor(安森美)生产的肖特基二极管阵列。该器件采用了先进的制造工艺,能够提供低正向电压降和快速恢复时间的特性,非常适合用于高频整流、逆向电池保护以及开关电源等应用。其封装形式为 DFN8 封装,具有小型化、高效散热的特点,适合空间受限的应用场景。
这款二极管阵列设计为双通道结构,内部集成两个独立的肖特基二极管,从而减少了外部元件的数量并优化了电路板布局。
类型:肖特基二极管阵列
额定电流(IF(AV)):2A
最大反向电压(VR):40V
正向压降(VF,典型值@2A):0.35V
反向漏电流(IR,最大值@25°C):10μA
工作结温范围:-55°C 至 +175°C
封装形式:DFN8
尺寸:2mm x 2mm
热阻(θJA):40°C/W
CDR31BX152BMZMAT 的主要特性包括以下几点:
1. 高效的肖特基势垒技术实现了低正向电压降,有助于减少功耗。
2. 快速恢复时间,使其非常适合高频应用。
3. 内部集成了两个独立的肖特基二极管,简化了设计并节省了PCB空间。
4. 支持高温运行环境,最高可达175°C的工作结温,适用于恶劣环境下的应用。
5. 小型化的DFN8封装提升了功率密度,同时提供了优异的散热性能。
6. 符合 RoHS 标准,并且具备无铅端子,满足环保要求。
CDR31BX152BMZMAT 广泛应用于多种电子设备中,尤其在需要高效率和小尺寸解决方案的情况下表现优异。
1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流器。
2. 便携式设备中的电池保护电路。
3. 反向电压保护电路。
4. 数据通信和电信设备中的信号整流。
5. 汽车电子系统中的负载突降保护。
6. 光伏逆变器中的旁路二极管。
7. LED 驱动器中的续流二极管。
MBR240ELT4G
NX20B40CT
SS24
RB240TLD