您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > CDR31BX152BMZMAT

CDR31BX152BMZMAT 发布时间 时间:2025/6/19 17:03:33 查看 阅读:3

CDR31BX152BMZMAT 是一款由 ON Semiconductor(安森美)生产的肖特基二极管阵列。该器件采用了先进的制造工艺,能够提供低正向电压降和快速恢复时间的特性,非常适合用于高频整流、逆向电池保护以及开关电源等应用。其封装形式为 DFN8 封装,具有小型化、高效散热的特点,适合空间受限的应用场景。
  这款二极管阵列设计为双通道结构,内部集成两个独立的肖特基二极管,从而减少了外部元件的数量并优化了电路板布局。

参数

类型:肖特基二极管阵列
  额定电流(IF(AV)):2A
  最大反向电压(VR):40V
  正向压降(VF,典型值@2A):0.35V
  反向漏电流(IR,最大值@25°C):10μA
  工作结温范围:-55°C 至 +175°C
  封装形式:DFN8
  尺寸:2mm x 2mm
  热阻(θJA):40°C/W

特性

CDR31BX152BMZMAT 的主要特性包括以下几点:
  1. 高效的肖特基势垒技术实现了低正向电压降,有助于减少功耗。
  2. 快速恢复时间,使其非常适合高频应用。
  3. 内部集成了两个独立的肖特基二极管,简化了设计并节省了PCB空间。
  4. 支持高温运行环境,最高可达175°C的工作结温,适用于恶劣环境下的应用。
  5. 小型化的DFN8封装提升了功率密度,同时提供了优异的散热性能。
  6. 符合 RoHS 标准,并且具备无铅端子,满足环保要求。

应用

CDR31BX152BMZMAT 广泛应用于多种电子设备中,尤其在需要高效率和小尺寸解决方案的情况下表现优异。
  1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流器。
  2. 便携式设备中的电池保护电路。
  3. 反向电压保护电路。
  4. 数据通信和电信设备中的信号整流。
  5. 汽车电子系统中的负载突降保护。
  6. 光伏逆变器中的旁路二极管。
  7. LED 驱动器中的续流二极管。

替代型号

MBR240ELT4G
  NX20B40CT
  SS24
  RB240TLD

CDR31BX152BMZMAT参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列Military, MIL-PRF-55681, CDR31
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容1500 pF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数BX
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级-
  • 应用高可靠性
  • 故障率M(1%)
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.051"(1.30mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-