时间：2025/5/26 14:42:19
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CDR31BX152BKZRAT 是一款由罗姆（ROHM）生产的功率MOSFET芯片，采用小型化的表面贴装封装设计。该型号专为高效率开关应用而优化，适用于需要低导通电阻和快速开关速度的场景。其内部结构基于先进的半导体制造工艺，能够显著降低功耗并提高系统的整体性能。
CDR31BX152BKZRAT 的主要应用场景包括但不限于电源适配器、DC-DC转换器、电池充电管理电路以及各种工业控制设备中的功率开关组件。
最大漏源电压：150V
连续漏极电流：2.8A
导通电阻（典型值）：120mΩ
栅极电荷（典型值）：4nC
总功耗：2.7W
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：HFPA2-8B
CDR31BX152BKZRAT 具备以下关键特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够在高频开关条件下有效减少能量损耗。
2. 高速开关性能，适合要求快速动态响应的应用。
3. 支持宽范围的工作温度，确保在极端环境下仍能保持稳定运行。
4. 内置ESD保护功能，提高了器件的可靠性和抗干扰能力。
5. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。
6. 紧凑型封装，便于在空间受限的设计中使用。
这款功率MOSFET 芯片广泛应用于以下领域：
1. 便携式电子设备的电源管理模块。
2. 各种类型的DC-DC转换器和升压/降压电路。
3. 开关模式电源（SMPS）设计。
4. 工业自动化设备中的驱动电路。
5. 电动工具和家用电器的电机控制部分。
6. 太阳能逆变器以及其他新能源相关产品。
CDR31BX152AKZRA, CDR31BX152CKZRA
