时间：2025/6/13 12:03:32
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CDR31BX123AMZPAT是一款高性能的功率MOSFET芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等电力电子领域。该器件采用先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，能够有效降低功耗并提升系统效率。
类型：N-Channel MOSFET
电压等级：650V
持续漏极电流：18A
导通电阻：0.045Ω
栅极电荷：70nC
开关时间：ton=35ns, toff=25ns
封装形式：TO-247
CDR31BX123AMZPAT的主要特性包括：
1. 高耐压能力，适合高压环境下的应用。
2. 极低的导通电阻，可以显著减少导通损耗，从而提高整体效率。
3. 快速的开关速度，有助于降低开关损耗，并允许在高频条件下工作。
4. 良好的热性能，能够承受较高的结温，增强系统的可靠性。
5. 稳定的电气参数，在宽温度范围内表现一致。
6. 高可靠性和长寿命，适用于工业级和商业级应用。
该型号主要应用于以下场景：
1. 开关模式电源（SMPS），例如适配器、充电器等。
2. 电机驱动电路，用于控制直流无刷电机或步进电机。
3. 太阳能逆变器中的功率转换模块。
4. 工业设备中的负载切换和保护电路。-DC转换器设计。
6. 各种需要高压大电流处理能力的电子设备。
CDR31BX123AMZPBT, IRFP460, STP18N65KF
