时间：2025/5/23 15:17:18
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CDR31BX102BKWSAT 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率晶体管，专为高频和高效率应用设计。该器件采用先进的封装技术，具备低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。适用于开关电源、DC-DC转换器以及其他需要高性能功率管理的场景。
这款 GaN 功率晶体管在设计上结合了高电子迁移率晶体管（HEMT）结构，能够在高频工作条件下提供显著的效率提升和功率密度改善。
额定电压：650V
额定电流：7A
导通电阻：100mΩ
栅极电荷：40nC
最大工作结温：175°C
封装类型：TO-247-4L
CDR31BX102BKWSAT 的主要特点是其采用了氮化镓材料，从而实现了更低的导通电阻和更小的寄生电感，适合高频开关应用。此外，该器件具有以下特点：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，能够有效降低传导损耗。
2. 高开关频率支持，适用于高频拓扑如LLC谐振和图腾柱PFC。
3. 内置保护功能，包括过流保护和过温关断，提升了系统可靠性。
4. 封装形式采用增强散热设计，确保长时间稳定运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
CDR31BX102BKWSAT 广泛应用于各种高效率功率转换场景，具体包括：
1. 开关模式电源（SMPS），特别是要求高频工作的场合。
2. 数据中心和服务器电源模块。
3. 工业设备中的 DC-DC 转换器。
4. 电动汽车充电基础设施，例如直流快速充电桩。
5. 可再生能源系统中的功率逆变器。
6. 图腾柱无桥 PFC 等先进功率因数校正电路。
CDR31BX100BKWSSAT, CDR31AX120BKWSAT
