时间：2025/5/24 17:49:24
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CDR31BP4R3BDZPAT 是一款高性能的功率 MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管），主要用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器以及其他需要高效功率切换的应用场景。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，能够在高频条件下提供高效的功率转换。
这款 MOSFET 适用于多种工业和消费类电子设备，例如笔记本电脑适配器、LED 驱动器、电动工具等。
类型：N沟道 MOSFET
最大漏源电压(Vdss)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
持续漏极电流(Id)：56A
导通电阻(Rds(on))：3.6mΩ
栅极电荷(Qg)：47nC
总功耗(Ptot)：240W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
CDR31BP4R3BDZPAT 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可显著降低功率损耗，提高系统效率。
2. 快速开关性能，支持高频应用，减少磁性元件的尺寸和成本。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的可靠性。
4. 小型封装设计，节省 PCB 空间，便于高密度布局。
5. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代电子产品的需求。
6. 内置 ESD 保护，提高了产品的抗静电能力，确保长期稳定运行。
这些特性使得 CDR31BP4R3BDZPAT 成为高效功率管理的理想选择。
CDR31BP4R3BDZPAT 的典型应用场景包括：
1. 开关电源 (SMPS) 中的同步整流器。
2. DC-DC 转换器中的高端或低端开关。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。BMS) 中的充放电控制。
5. 工业自动化设备中的负载切换。
6. 消费类电子产品中的功率调节模块。
由于其出色的电气性能和紧凑的封装，该器件在各种功率转换和控制领域都表现出色。
CDR31BP4R3BDZPAN, IRF3710, FDP5500
