时间：2025/5/21 8:43:06
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CDR31BP3R3BDZSAT 是一款基于碳化硅 (SiC) 技术的高性能肖特基二极管。该器件具有高耐压、低正向压降和快速恢复时间的特点，适用于高频开关电源、DC-DC 转换器、光伏逆变器以及其他需要高效能量转换的场景。
其封装形式为表面贴装型 (SMD)，适合自动化生产和高温环境下的应用，同时具备出色的热稳定性和可靠性。
类型：肖特基二极管
额定电压：650V
额定电流：3A
正向压降 (Vf)：0.8V @ 3A
反向恢复时间 (trr)：小于 50ns
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装：DPAK (TO-263)
结电容：约 45pF
CDR31BP3R3BDZSAT 的主要特点是采用了先进的碳化硅材料技术，使其在高频和高压环境下表现优异。
1. 高耐压能力：650V 的额定电压确保了其在多种复杂电路中的可靠性。
2. 快速开关性能：小于 50ns 的反向恢复时间显著降低了开关损耗。
3. 低正向压降：在大电流条件下，0.8V 的正向压降提高了整体效率。
4. 宽温范围支持：从 -55°C 到 +175°C 的工作温度范围，适应各种极端环境。
5. 热稳定性强：得益于 SiC 材料的优越热导率，该器件能够在高温下持续稳定运行。
6. 表面贴装设计：简化了生产流程并增强了机械强度。
该肖特基二极管广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中作为整流元件。
2. 光伏逆变器中的功率转换模块。
3. 电动车 (EV) 和混合动力车 (HEV) 的车载充电器及电机驱动系统。
4. 工业自动化设备中的高频开关电路。
5. LED 驱动器和其他高效能电子设备。
CDR30BP3R3BDZSAT, CDR31BP3R3BDSAT
