时间：2025/5/13 18:20:50
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CDR31BP331BFZMAT 是一款基于碳化硅（SiC）技术的 MOSFET 功率晶体管。该器件以其高效率、高开关频率和低导通损耗的特点著称，广泛应用于新能源汽车、工业电源、太阳能逆变器等高性能电力电子领域。
其封装形式为 D2PAK-7（TO-263-7），具有卓越的散热性能和坚固耐用的结构设计。
最大漏源电压：1200V
连续漏极电流：34A
导通电阻：33mΩ
栅极阈值电压：2.5V~4.5V
功耗：250W
工作温度范围：-55℃~175℃
CDR31BP331BFZMAT 采用了先进的碳化硅材料制造工艺，具备以下显著特点：
1. 高耐压能力，适合高压应用环境。
2. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗，提高系统效率。
3. 支持高频开关操作，降低磁性元件体积和成本。
4. 热性能优异，能够在高温环境下稳定运行。
5. 快速开关速度，减少开关损耗并改善动态性能。
这款功率 MOSFET 主要用于高效率的电力转换场景，具体包括：
1. 新能源汽车中的车载充电器（OBC）和电机控制器。
2. 工业级 DC-DC 和 AC-DC 转换器。
3. 太阳能逆变器及储能系统。
4. 不间断电源（UPS）和服务器电源模块。
5. 其他需要高效率、高功率密度解决方案的场合。
CDZMAT, C2M0033120D, SCT30N120
