时间：2025/6/23 13:43:38
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CDR31BP301BKZMAT 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 DPAK 封装，适合用于需要高效率和低导通电阻的应用场景。
这款功率 MOSFET 以其出色的开关性能和低导通损耗而著称，广泛应用于开关电源、电机驱动器、DC-DC 转换器以及其他功率转换电路中。
型号：CDR31BP301BKZMAT
类型：N 沟道功率 MOSFET
VDS（漏源极电压）：30V
RDS(on)（导通电阻，典型值）：1.1mΩ
ID（连续漏极电流）：105A
Qg（栅极电荷）：46nC
fT（特征频率）：1.8MHz
VGS（栅源极电压）：±20V
封装：DPAK (TO-252)
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
CDR31BP301BKZMAT 具有非常低的导通电阻（RDS(on)），这使其非常适合于要求高效能的应用场景。同时，它还具备较低的栅极电荷，有助于减少开关损耗，并提供更快的开关速度。
该器件的耐压为 30V，能够承受高达 105A 的连续漏极电流，适用于大功率应用。
此外，其宽广的工作温度范围（从 -55°C 到 +175°C）确保了其在极端环境下的可靠性。
由于采用了 DPAK 封装，这种 MOSFET 易于安装，并且能够有效地散热。
CDR31BP301BKZMAT 广泛应用于各种电力电子设备中，包括但不限于：
- 开关模式电源 (SMPS)
- DC-DC 转换器
- 电动机驱动电路
- 工业自动化中的负载切换
- 电池管理系统 (BMS)
- 电信基础设施中的功率调节模块
该器件凭借其高电流承载能力和低导通电阻，在这些应用中表现出色，从而提升系统整体效率。
CDR31BP301BKRMAT, CDR31BP301BKWMAT
