CDR31BP300BKZRAT是一款高性能的MOSFET功率晶体管,主要应用于高功率开关电源、电机驱动和逆变器等领域。该器件采用先进的封装技术,具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关特性。
它属于N沟道增强型MOSFET,广泛用于需要高效能和稳定性的电力电子设备中。
型号:CDR31BP300BKZRAT
类型:N-Channel MOSFET
额定电压:650V
额定电流:300A
导通电阻:1.8mΩ(典型值)
栅极电荷:250nC(最大值)
功耗:240W
工作温度范围:-55℃至+175℃
封装形式:D2PAK-7
CDR31BP300BKZRAT具备以下显著特性:
1. 高击穿电压确保了在高压应用中的可靠性和稳定性。
2. 极低的导通电阻减少了功率损耗,提升了整体效率。
3. 快速开关速度降低了开关损耗,适合高频应用场景。
4. 良好的热性能设计使器件能够在高温环境下长时间工作。
5. 稳定的动态特性使其适用于各种复杂负载条件下的切换操作。
6. 先进的封装工艺提高了散热能力和电气性能。
此外,该器件还具有短路保护功能,能够有效防止因意外情况导致的损坏。
CDR31BP300BKZRAT主要应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)
2. 太阳能逆变器
3. 电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)中的电机控制器
4. 工业自动化设备中的变频驱动器
5. 不间断电源(UPS)系统
6. 高效DC-DC转换器
其卓越的性能和可靠性使得这款MOSFET成为高功率密度设计的理想选择。
CDR31BP250BKZRAT
IRFP260N
STP300N60E
FDP18N65C3