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CDR31BP300BKZRAT 发布时间 时间:2025/6/6 11:46:14 查看 阅读:4

CDR31BP300BKZRAT是一款高性能的MOSFET功率晶体管,主要应用于高功率开关电源、电机驱动和逆变器等领域。该器件采用先进的封装技术,具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关特性。
  它属于N沟道增强型MOSFET,广泛用于需要高效能和稳定性的电力电子设备中。

参数

型号:CDR31BP300BKZRAT
  类型:N-Channel MOSFET
  额定电压:650V
  额定电流:300A
  导通电阻:1.8mΩ(典型值)
  栅极电荷:250nC(最大值)
  功耗:240W
  工作温度范围:-55℃至+175℃
  封装形式:D2PAK-7

特性

CDR31BP300BKZRAT具备以下显著特性:
  1. 高击穿电压确保了在高压应用中的可靠性和稳定性。
  2. 极低的导通电阻减少了功率损耗,提升了整体效率。
  3. 快速开关速度降低了开关损耗,适合高频应用场景。
  4. 良好的热性能设计使器件能够在高温环境下长时间工作。
  5. 稳定的动态特性使其适用于各种复杂负载条件下的切换操作。
  6. 先进的封装工艺提高了散热能力和电气性能。
  此外,该器件还具有短路保护功能,能够有效防止因意外情况导致的损坏。

应用

CDR31BP300BKZRAT主要应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)
  2. 太阳能逆变器
  3. 电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)中的电机控制器
  4. 工业自动化设备中的变频驱动器
  5. 不间断电源(UPS)系统
  6. 高效DC-DC转换器
  其卓越的性能和可靠性使得这款MOSFET成为高功率密度设计的理想选择。

替代型号

CDR31BP250BKZRAT
  IRFP260N
  STP300N60E
  FDP18N65C3

CDR31BP300BKZRAT参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列Military, MIL-PRF-55681, CDR31
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容30 pF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数BP
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级-
  • 应用高可靠性
  • 故障率R(0.01%)
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.051"(1.30mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-